Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography
Xie CQ(谢常青); Chen MZ(陈梦真); Wang YL(王玉玲); Sun BY(孙宝银); Zhou SH(周生辉); Zhu ZZ(朱樟震)
刊名Chinese Science Bulletin
1995
期号10页码:861-864
关键词synchrotron radiation X-ray lithography resist development rate model Marquardt method.
英文摘要Since the synchrotron radiation X-ray lithography (SRXRL) was put forward, it hascaught many people's attention day after day. It has much benefit, such as high-structuralresolution, large process window, high throughput. It is generally thought a very goodlithography technique when dimensions s...
项目资助者Project supported by the "Pan Deng Project".
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221377
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Xie CQ,Chen MZ,Wang YL,et al. Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography[J]. Chinese Science Bulletin,1995(10):861-864.
APA 谢常青,陈梦真,王玉玲,孙宝银,周生辉,&朱樟震.(1995).Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography.Chinese Science Bulletin(10),861-864.
MLA 谢常青,et al."Investigation on resist development rate model for synchrotron radiation X-ray lithography".Chinese Science Bulletin .10(1995):861-864.
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