| 用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As |
其他题名 | DETERMINATION OF AS IMPURITY IN SILICON CRYSTAL BY SYNCHROTRON RADIATION EXCITED X-RAY FLUORESCENCE MICRO-ANALYSIS
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| 吴强; 刘亚雯; 魏成连; 袁汉章; 朱腾; 闻莺
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| 1994
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发表期刊 | 核技术
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期号 | 8页码:476-480 |
通讯作者 | 吴强
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其他摘要 | 利用同步辐射X射线微区分析技术,研究了单晶硅中掺杂元素As浓度的定量分布,并对结果进行了讨论。 |
关键词 | 同步辐射
X射线荧光微区分析
杂质As
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项目资助者 | 国家自然科学基金,中国科学院核分析技术开放实验室资助
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221341
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专题 | 多学科研究中心
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
吴强,刘亚雯,魏成连,等. 用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As[J]. 核技术,1994(8):476-480.
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APA |
吴强,刘亚雯,魏成连,袁汉章,朱腾,&闻莺.(1994).用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As.核技术(8),476-480.
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MLA |
吴强,et al."用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As".核技术 .8(1994):476-480.
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