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用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As
其他题名DETERMINATION OF AS IMPURITY IN SILICON CRYSTAL BY SYNCHROTRON RADIATION EXCITED X-RAY FLUORESCENCE MICRO-ANALYSIS
吴强; 刘亚雯; 魏成连; 袁汉章; 朱腾; 闻莺
1994
发表期刊核技术
期号8页码:476-480
通讯作者吴强
其他摘要利用同步辐射X射线微区分析技术,研究了单晶硅中掺杂元素As浓度的定量分布,并对结果进行了讨论。
关键词同步辐射 X射线荧光微区分析 杂质As
项目资助者国家自然科学基金,中国科学院核分析技术开放实验室资助
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221341
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
吴强,刘亚雯,魏成连,等. 用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As[J]. 核技术,1994(8):476-480.
APA 吴强,刘亚雯,魏成连,袁汉章,朱腾,&闻莺.(1994).用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As.核技术(8),476-480.
MLA 吴强,et al."用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As".核技术 .8(1994):476-480.
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