HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定
何元金; 辛明瑞; 张天保
刊名高能物理与核物理
1994
期号8页码:5
关键词正电子湮没 碲镉汞半导体缺陷 汞空位
其他题名MEASUREMENT OF CHARACTERISTIC POSITRON ANNIHILATION LIFETIME IN HgCdTe
中文摘要提出了一种新的在热平衡状态下实时测量碲镉汞(MCT)中特征正电子湮没寿命的方法,用该方法测得HgCdTe中基体正电子湮没寿命τb为277±1Ps,汞空位缺陷捕获态寿命τd为306±2ps,并与用其它方法测量的结果进行了比较与讨论.
项目资助者中国科学院核分析技术开放研究实验室开放课题
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221326
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
何元金,辛明瑞,张天保. HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定[J]. 高能物理与核物理,1994(8):5.
APA 何元金,辛明瑞,&张天保.(1994).HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定.高能物理与核物理(8),5.
MLA 何元金,et al."HgCdTe中特征正电子湮没寿命值的确定".高能物理与核物理 .8(1994):5.
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