半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究
闻莺; 袁汉章; 朱腾; 刘亚雯
刊名分析试验室
1994
期号3页码:77-80
关键词同步辐射X荧光分析 半导体硅 掺杂元素 微区分析
其他题名A STUDY ON MICROANALYSIS OF THE DOPING ELEMENT Ge IN Si SEMICONDUCTOR MATERIAL BY SRXRF
中文摘要本文研究了同步辐射X射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ge的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ge的二维分布图。实验结果表明,同步辐射X射线微荧光分析法对样品无导电性要求,可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ge在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明,在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性,掺杂元素向单晶中心区域富集,这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。
项目资助者国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221323
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
闻莺,袁汉章,朱腾,等. 半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究[J]. 分析试验室,1994(3):77-80.
APA 闻莺,袁汉章,朱腾,&刘亚雯.(1994).半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究.分析试验室(3),77-80.
MLA 闻莺,et al."半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究".分析试验室 .3(1994):77-80.
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