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用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布
刘亚雯; 吴强; 胡金生; 魏成连; 袁汉章; 朱腾; 闻莺
1992
发表期刊科学通报
期号21页码:1949-1951
通讯作者刘亚雯
其他摘要半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。同步辐射光源具有高
关键词同步辐射 X射线微荧光分析 生长界面
项目资助者国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221249
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘亚雯,吴强,胡金生,等. 用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布[J]. 科学通报,1992(21):1949-1951.
APA 刘亚雯.,吴强.,胡金生.,魏成连.,袁汉章.,...&闻莺.(1992).用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布.科学通报(21),1949-1951.
MLA 刘亚雯,et al."用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布".科学通报 .21(1992):1949-1951.
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