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中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应
其他题名TEMPERATURE DEPENDENCE OF POSITRON TRAPPING AT DEFECTS IN NEUTRON-IRRADIATED SILICON
熊兴民
1992
发表期刊核技术
期号3页码:151-155
通讯作者熊兴民
其他摘要用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T~(-1.7)随温度变化。
关键词中子辐照 空位缺陷 正电子捕获
项目资助者中国科学院基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221239
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
熊兴民. 中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应[J]. 核技术,1992(3):151-155.
APA 熊兴民.(1992).中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应.核技术(3),151-155.
MLA 熊兴民."中子福照硅单晶正电子捕获的温度效应".核技术 .3(1992):151-155.
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