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BaF_2晶体的抗辐照性能
其他题名HIGH RADIATION RESISTANCE OF BaF2 CRYSTAL
任绍霞; 张瑾; 肖红; 王亚东; 祝玉灿; 张天保
1991
发表期刊人工晶体学报
期号Z1页码:402
其他摘要我们进行了小尺寸(φ30×10mm,φ25×25mm)BaF_2晶体的~(60)Coγ射线辐照实验,测量了不同工艺条件和不同辐照剂量下的BaF_2晶体的相对光电子产额,能量分辨率及紫外透过率。最大剂量到1×10~8rad,发现晶体的紫外透过率和闪烁发光性能在辐照结束后2天可恢复
关键词抗辐照性能 BaF_2 透过率 产额 γ射线辐照 辐照剂量 工艺条件 能量分辨率 天可 中子辐照
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221192
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
任绍霞,张瑾,肖红,等. BaF_2晶体的抗辐照性能[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):402.
APA 任绍霞,张瑾,肖红,王亚东,祝玉灿,&张天保.(1991).BaF_2晶体的抗辐照性能.人工晶体学报(Z1),402.
MLA 任绍霞,et al."BaF_2晶体的抗辐照性能".人工晶体学报 .Z1(1991):402.
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