离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究
肖光明; 殷士端; 张敬平; 范缇文; 刘家瑞; 丁爱菊; 周均铭; 朱沛然
刊名半导体学报
1990
期号11页码:866-870
关键词离子注入 瞬态退火 卢瑟福背散射沟道
其他题名CRYSTALLINE QUALITY STUDY OF MBE GaAs-ON-Si THROUGH HIGH ENERGY ION-IMPLANTATION AND SUBSEQUENT ANNEALING
通讯作者肖光明
中文摘要本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221114
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
肖光明,殷士端,张敬平,等. 离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究[J]. 半导体学报,1990(11):866-870.
APA 肖光明.,殷士端.,张敬平.,范缇文.,刘家瑞.,...&朱沛然.(1990).离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究.半导体学报(11),866-870.
MLA 肖光明,et al."离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究".半导体学报 .11(1990):866-870.
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