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用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布
其他题名ANALYSIS DEPTH PROFILING IN MATERALS BY ELASTIC RECOIL DETECTION
刘世杰; 吴越; 盛康龙; 李春瑛
1989
发表期刊高能物理与核物理
期号6页码:481-486
通讯作者刘世杰
其他摘要利用2.0—2.5MeV He的弹性反冲探测方法,测量了二氧化硅和氮化硅膜层中的氢分布,并给出氢含量与淀积工艺条件的关系.讨论了在给定的实验条件下最大的探测深度、探测灵敏度极限和深度分辨率.
关键词深度分辨率 氮化硅膜 淀积 探测深度 工艺条件 实验条件 探测灵敏度 射频功率 核反应分析 氢原子
项目资助者中国科学院科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221086
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘世杰,吴越,盛康龙,等. 用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布[J]. 高能物理与核物理,1989(6):481-486.
APA 刘世杰,吴越,盛康龙,&李春瑛.(1989).用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布.高能物理与核物理(6),481-486.
MLA 刘世杰,et al."用弹性反冲探测方法分析材料中的氢分布".高能物理与核物理 .6(1989):481-486.
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