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离子注入GaAs的脉冲激光退火
其他题名LASER PULSE ANNEALING ION-IMPLANTED GaAs
刘世杰; S.U.CAMPISANO; E.RIMINI
1988
发表期刊物理学报
期号5页码:842-846
通讯作者刘世杰
其他摘要利用沟道背散射、俄歇和X射线光电子能谱技术研究了Nd:YAG和红宝石脉冲激光退火的离子注入GaAs样品的表面性质。结果表明,对于这两种激光都存在一个从无定形向单晶转化的阈值能量,在阈值能量附近,没有明显的表面分解。高能量密度可引起明显的分解和损伤。利用热流理论计算了杂质的再分布。对于两种激光都得到了Te在GaAs中较高的替位率。
关键词激光退火 背散射 离子注入 光电子能谱技术 红宝石激光 无定形 表面性质 液相外延 高能量密度 快速热退火
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/221057
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
刘世杰,S.U.CAMPISANO,E.RIMINI. 离子注入GaAs的脉冲激光退火[J]. 物理学报,1988(5):842-846.
APA 刘世杰,S.U.CAMPISANO,&E.RIMINI.(1988).离子注入GaAs的脉冲激光退火.物理学报(5),842-846.
MLA 刘世杰,et al."离子注入GaAs的脉冲激光退火".物理学报 .5(1988):842-846.
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