IHEP OpenIR  > 多学科研究中心
GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究
其他题名A STUDY OF DEFECTS IN GaAs BY POSITRON ANNIHILATION
熊兴民
1986
发表期刊高能物理与核物理
期号4页码:459-465
通讯作者熊兴民
其他摘要本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950℃掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷。在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11 ps的寿命组分π_2,其强度I_2,多普勒加宽S参数和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大。在掺Te外延晶体中,312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大,在熔体生长晶体中,该陷阱浓度低得多,远偏离以上线性关系。312 ps寿命归因于正电子在Ga空位湮没寿命,结果显示出掺Te在GaAs晶体中诱导Ga空位。
关键词晶体生长 正电子湮没 生长晶体 熔体生长 电子陷阱 晶体缺陷 液相外延生长 单晶生长 空位缺陷 元素半导体
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220924
专题多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
熊兴民. GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究[J]. 高能物理与核物理,1986(4):459-465.
APA 熊兴民.(1986).GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究.高能物理与核物理(4),459-465.
MLA 熊兴民."GaAs晶体生长缺陷的正电子湮没研究".高能物理与核物理 .4(1986):459-465.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
1297.pdf(401KB)期刊论文作者接受稿限制开放CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[熊兴民]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[熊兴民]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[熊兴民]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。