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中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究
其他题名STUDY OF ISOCHRONAL ANNEALING BEHAVIOR OF NEUTRON IRRADIATED HYDROGEN FZ SILICON BY POSITRON ANNIHILATION
熊兴民
1986
发表期刊半导体学报
期号1页码:78-84
通讯作者熊兴民
其他摘要用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没寿命,是主要的长寿命组分.450±14ps是正电子在四空位湮没寿命。324ps寿命组分在450℃附近退火消失后,它又以较高的强度在530—800℃的温度范围出现.对不同温度退火的晶体取得的基块寿命不是常数值而是随退火温度有规律的变化.这些异常的退火行为归结为中子辐照硅中所诱导的空位缺陷与氢的相互作用及其对晶格的影响.
关键词中子辐照 正电子湮没 等时退火 硅单晶 区熔 双空位 退火温度 基块 空位缺陷 悬键
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220917
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
熊兴民. 中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究[J]. 半导体学报,1986(1):78-84.
APA 熊兴民.(1986).中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究.半导体学报(1),78-84.
MLA 熊兴民."中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究".半导体学报 .1(1986):78-84.
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