用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷
王淑英; 季国坤; 侯耀永; 李理
刊名物理学报
1985
期号12页码:1627-1633
关键词正电子湮没技术 疲劳过程 空位团 疲劳试样 应变幅 纯镍 晶体缺陷 拟合方法 硬化速率 晶格缺陷
其他题名POSITRON ANNIHILATION STUDY OF CRYSTAL DEFECTS DEVELOPED DURING FATIGUE PROCESS OF PURE POLYCRYSTALLING Ni
通讯作者王淑英
中文摘要对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220908
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
王淑英,季国坤,侯耀永,等. 用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷[J]. 物理学报,1985(12):1627-1633.
APA 王淑英,季国坤,侯耀永,&李理.(1985).用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷.物理学报(12),1627-1633.
MLA 王淑英,et al."用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷".物理学报 .12(1985):1627-1633.
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