GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析
郑胜男; 阎建华; 王豫生; 李跃鑫; 谢宝珍; 莫培根
刊名核技术
1985
期号6页码:18-19
关键词中子嬗变 沟道效应
中文摘要中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220849
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
郑胜男,阎建华,王豫生,等. GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析[J]. 核技术,1985(6):18-19.
APA 郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢宝珍,&莫培根.(1985).GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析.核技术(6),18-19.
MLA 郑胜男,et al."GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析".核技术 .6(1985):18-19.
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