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GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析
郑胜男; 阎建华; 王豫生; 李跃鑫; 谢葆珍; 莫培根
1984
发表期刊中国原子能科学研究院年报
期号0页码:105
其他摘要GaAs中子嬗变掺杂可得到均匀分布的掺杂剂,对制备大功率高速电子器件有特殊意义。在热中子作用下,GaAs嬗变为稳定的Ge和Se在晶体作为施主杂质,但在辐照过程同时晶格原子受高能粒子反冲引起级联碰撞致使晶体结构造成严重辐射损伤,当
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220829
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GB/T 7714
郑胜男,阎建华,王豫生,等. GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析[J]. 中国原子能科学研究院年报,1984(0):105.
APA 郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢葆珍,&莫培根.(1984).GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析.中国原子能科学研究院年报(0),105.
MLA 郑胜男,et al."GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析".中国原子能科学研究院年报 .0(1984):105.
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