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用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面
其他题名ANALYSIS OF Pt/GaAs CONTACT INTERFACE BY BRS
谢葆珍; 刘世杰; 张敬平; 殷士端; 顾诠; 戴爱平
1984
发表期刊半导体学报
期号1页码:81-87
通讯作者谢葆珍
其他摘要用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相.
关键词Pt/GaAs 背散射分析 实验技术 接触界面 界面性质 固相反应 退火温度 俄歇电子 合金层 原子数
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220766
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
谢葆珍,刘世杰,张敬平,等. 用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面[J]. 半导体学报,1984(1):81-87.
APA 谢葆珍,刘世杰,张敬平,殷士端,顾诠,&戴爱平.(1984).用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面.半导体学报(1),81-87.
MLA 谢葆珍,et al."用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面".半导体学报 .1(1984):81-87.
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