电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没
王少阶; 张天保; 王蕴玉
刊名武汉大学学报(自然科学版)
1983
期号2页码:39-46
关键词电子偶素 短寿命 能量分辨率 轻子 三重态 闪烁体 量子电动力学 自由体积 相对强度 时间分辨率
其他题名FORMATION AND ANNIHILATION OF POSITRONIUM IN SILICA AEROGEL
中文摘要研究了由放射源~(22)Na发出的正电子射入气凝硅胶样品后电子偶素在其中的形成。用β~+-γ和γ-γ符合两种方法测量了样品在大气、真空、氮气和氧气气氛中的正电子寿命谱。由测量结果推算出在大气和真空条件下,入射到气凝硅胶样品中的正电子有约35%—40%能形成电子偶素。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220756
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
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GB/T 7714
王少阶,张天保,王蕴玉. 电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没[J]. 武汉大学学报(自然科学版),1983(2):39-46.
APA 王少阶,张天保,&王蕴玉.(1983).电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没.武汉大学学报(自然科学版)(2),39-46.
MLA 王少阶,et al."电子偶素在气凝硅胶中的形成和湮没".武汉大学学报(自然科学版) .2(1983):39-46.
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