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用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布
殷士端; 张敬平; 顾铨; 钟士谦; 王振明; 谢葆珍; 刘世杰
1983
发表期刊微细加工技术
期号1页码:31-36
其他摘要将能量为150KeV、剂量为10~(14)~17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用~1.8MeV的He~+束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。
关键词浓度分布 背散射 退火温度 退火条件 高斯分布 注入剂量 晶向偏离 退火过程 热扩散 微波晶体管
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220755
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
殷士端,张敬平,顾铨,等. 用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布[J]. 微细加工技术,1983(1):31-36.
APA 殷士端.,张敬平.,顾铨.,钟士谦.,王振明.,...&刘世杰.(1983).用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布.微细加工技术(1),31-36.
MLA 殷士端,et al."用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布".微细加工技术 .1(1983):31-36.
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