用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨
殷定贞; 顾华
刊名核技术
1982
期号6页码:61-63
关键词正电子素 角关联 AlH_3 MgH_2 金属氢化物 AIH 金属键 禁带 离子晶体 分子密度
其他题名THE STUDY OF THE BOND TYPE IN MgH2 AND AlH3 BY POSITRON ANNIHILATION
通讯作者殷定贞
中文摘要近年来,有可能成为新能源材料的金属氢化物受到了广泛重视。不少工作表明,正电子湮灭技术对研究它们的化学结构等问题是一个有价值的方法。1968年,A.Gainotti等测定了一系列金属氢化物的正电子湮灭寿命谱,观察到湮灭速度Γ_1和Γ_2与分子密度有线性关系。苏联等用寿命谱和角关联方法研究了BeH_2和AIH_5的化学键性质。他们在BeH_2的角关联曲线中观察到窄成份,认为是形成了正电子素,并提出离子晶体一般具有较宽的禁带,易形成正电子素,因此BeH_2是离子键,不形成正电子素的AIH_3是
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220696
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
殷定贞,顾华. 用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨[J]. 核技术,1982(6):61-63.
APA 殷定贞,&顾华.(1982).用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨.核技术(6),61-63.
MLA 殷定贞,et al."用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨".核技术 .6(1982):61-63.
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