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氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量
其他题名MEASUREMENT OF POSITRON ANNIHILATION PARAMETERS IN HYDROGEN FLOAT ZONED SILICON SINGLE CRYSTALS
季国坤; 黄懋容; 刘年庆
1982
发表期刊核技术
期号6页码:66-68
通讯作者季国坤
其他摘要国外用正电子湮灭技术对电子、质子、中子辐照过的硅单晶进行了研究。证明辐照过的硅单晶都产生缺陷,这些缺陷都能捕获正电子,引起正电子湮灭寿命谱的变化。 国产的一种硅单晶是在氢气氛中生长的,在生长过程中有氢气进入,在这种硅单晶中有硅氢键存在,当
关键词硅单晶 中子辐照 参数表示 晶体生长过程 总计数 间隙原子 用正 加热处理 化学抛光 机械抛光
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220684
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
季国坤,黄懋容,刘年庆. 氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量[J]. 核技术,1982(6):66-68.
APA 季国坤,黄懋容,&刘年庆.(1982).氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量.核技术(6),66-68.
MLA 季国坤,et al."氢气氛浮区硅单晶中正电子湮灭参数的测量".核技术 .6(1982):66-68.
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