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用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区
其他题名AN INVESTIGATION OF THE PLASTIC ZONE IN THE VICINITY OF THE CRADK-TIP BY POSITRON ANNIHILTION
季国坤; 刘年庆; 王淑英; 姜健; 熊良钺; 龙期威
1981
发表期刊金属学报
期号6页码:677-681
通讯作者季国坤
其他摘要正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性
关键词塑性区 缺口试样 断裂问题 密度分布 应力强度因子 断裂研究 电子密度 弹性区 电火花线切割机 能量分辨
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220653
专题多学科研究中心
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GB/T 7714
季国坤,刘年庆,王淑英,等. 用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区[J]. 金属学报,1981(6):677-681.
APA 季国坤,刘年庆,王淑英,姜健,熊良钺,&龙期威.(1981).用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区.金属学报(6),677-681.
MLA 季国坤,et al."用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区".金属学报 .6(1981):677-681.
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