Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象
魏成连; 董玉兰; 高之纬
刊名物理学报
1980
期号9页码:1222-1225
关键词堵塞效应 Si{111 沟道效应 径迹探测器 背散射 密度计 α粒子 静电加速器 靶室 小坑
其他题名A NEW PHENOMENON ABOUT THE (111) PLANAR PARTICLES BLOCKING DIP IN SINGLE CRYSTAL Si
通讯作者魏成连
中文摘要本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d_(111)~(a)和d_(111)~(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d_(111)~(a)和d_(111)~(b)以及d_(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220633
专题中国科学院高能物理研究所_多学科研究中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
魏成连,董玉兰,高之纬. Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象[J]. 物理学报,1980(9):1222-1225.
APA 魏成连,董玉兰,&高之纬.(1980).Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象.物理学报(9),1222-1225.
MLA 魏成连,et al."Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象".物理学报 .9(1980):1222-1225.
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