质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制
刊名科学通报
1975
期号12页码:559-560
关键词GaAs-Ga x)Al_xAs 质子束 异质结构 液相外延 散热片 外延片 外延衬底 外延层 欧姆接触
中文摘要利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生长出GaAs-Ga_(1-x)-Al_XAs双异质结构材料。并用质子轰击法来形成条形结构。这样用银散热片做成的器件能在300°K下长时期地连续工作。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220428
专题中国科学院高能物理研究所_实验物理中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
. 质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制[J]. 科学通报,1975(12):559-560.
APA (1975).质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制.科学通报(12),559-560.
MLA "质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制".科学通报 .12(1975):559-560.
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