基于VME主设备的高速读出电路设计
杨一帆; 江晓山; 代洪亮; 赵京伟
刊名核电子学与探测技术
2008
期号2页码:339-341+364
关键词BESⅢ 数据读出 VME FPGA
其他题名Design of High Speed Read Out Circuit Based on VME Master Device
通讯作者杨一帆
中文摘要本文简要介绍了BESⅢ主漂电子学和数据获取系统之间的数据传输相关情况。详细介绍了一种基于VME主设备的接口电路设计,此电路用于VME总线上的数据读出与传输,具体包括PCB设计与FPGA程序实现,最后给出了测试方法和相关结果。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219998
专题中国科学院高能物理研究所_实验物理中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_实验物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨一帆,江晓山,代洪亮,等. 基于VME主设备的高速读出电路设计[J]. 核电子学与探测技术,2008(2):339-341+364.
APA 杨一帆,江晓山,代洪亮,&赵京伟.(2008).基于VME主设备的高速读出电路设计.核电子学与探测技术(2),339-341+364.
MLA 杨一帆,et al."基于VME主设备的高速读出电路设计".核电子学与探测技术 .2(2008):339-341+364.
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