国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究
朱国义; 何景棠; 顾以藩; 钱忠敏; 楚国柱
刊名高能物理与核物理
1990
期号1页码:8--15
关键词辐照损伤 闪烁晶体 时间常数 总强度 γ射线辐照 微量杂质 照射量率 高能物理实验 函数描述 内测量
其他题名STUDY ON RADIATION DAMAGE OF CHINESE-MADE HIGH-Z SCINTILLATION CRYSTALS
通讯作者朱国义
中文摘要在总强度为105~Ci的~(60)Co γ射线辐照装置上开展了国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究.在5×10~3-7.5×10~5rad剂量范围内测量了小尺寸BGO晶体样品的辐照损伤效应,观察到损伤随剂量增加逐渐趋于饱和的现象;辐照损伤的自然恢复过程可用三组时间常数表征的指数函数描述.在5×10~5rad剂量下,考察了BaF_2,CsI(Tl)以及ZnWO_4晶体小尺寸样品的辐照损伤效应.发现了BaF_2的严重损伤情况,初步分析原因可能是晶体中某些微量杂质的存在.
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219930
专题中国科学院高能物理研究所_实验物理中心_期刊论文
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GB/T 7714
朱国义,何景棠,顾以藩,等. 国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究[J]. 高能物理与核物理,1990(1):8--15.
APA 朱国义,何景棠,顾以藩,钱忠敏,&楚国柱.(1990).国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究.高能物理与核物理(1),8--15.
MLA 朱国义,et al."国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究".高能物理与核物理 .1(1990):8--15.
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