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硅微条探测器的辐射损伤试验
其他题名Radiation Damage Tests of Silicon Microstrip Detector
顾维新
1997
发表期刊高能物理与核物理
期号4页码:292-297
通讯作者顾维新
其他摘要测量了硅微条探测器在辐照前后的坪曲线、脉冲高度与偏置电压的关系,及辐照后的总漏电流和黑洞的大小
关键词硅微条探测器 辐射损伤 黑洞 耗尽电压
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219926
专题实验物理中心
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GB/T 7714
顾维新. 硅微条探测器的辐射损伤试验[J]. 高能物理与核物理,1997(4):292-297.
APA 顾维新.(1997).硅微条探测器的辐射损伤试验.高能物理与核物理(4),292-297.
MLA 顾维新."硅微条探测器的辐射损伤试验".高能物理与核物理 .4(1997):292-297.
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