硅微条探测器的辐射损伤试验
顾维新
刊名高能物理与核物理
1997
期号4页码:292-297
关键词硅微条探测器 辐射损伤 黑洞 耗尽电压
其他题名Radiation Damage Tests of Silicon Microstrip Detector
通讯作者顾维新
中文摘要测量了硅微条探测器在辐照前后的坪曲线、脉冲高度与偏置电压的关系,及辐照后的总漏电流和黑洞的大小
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219926
专题中国科学院高能物理研究所_实验物理中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
顾维新. 硅微条探测器的辐射损伤试验[J]. 高能物理与核物理,1997(4):292-297.
APA 顾维新.(1997).硅微条探测器的辐射损伤试验.高能物理与核物理(4),292-297.
MLA 顾维新."硅微条探测器的辐射损伤试验".高能物理与核物理 .4(1997):292-297.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
3391.pdf(197KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[顾维新]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[顾维新]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[顾维新]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 3391.pdf
格式: Adobe PDF
此文件暂不支持浏览
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。