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多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计
其他题名4-Channel Readout ASIC for MaPMT
王科; 刘振安; 王铮; 李道武
2010
发表期刊核电子学与探测技术
期号5页码:589-591+617
通讯作者王科
其他摘要多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66 mW;增益为62.2 mV/pC,输入动态范围13 pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。
关键词多阳极光电倍增管 调整型共源共栅 多通道 前置放大器
项目资助者国家自然科学基金资助项目(10905065)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219835
专题实验物理中心
核技术应用研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王科,刘振安,王铮,等. 多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计[J]. 核电子学与探测技术,2010(5):589-591+617.
APA 王科,刘振安,王铮,&李道武.(2010).多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计.核电子学与探测技术(5),589-591+617.
MLA 王科,et al."多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计".核电子学与探测技术 .5(2010):589-591+617.
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