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多阳极光电倍增管读出ASIC设计
其他题名A READOUT ASIC DESIGNED FOR MULTI-ANODE PHOTOMULTIPLIER TUBE
肖腾飞; 张研; 王庆娟; 吴文欢; 王铮; 赵京伟
2012
发表期刊核电子学与探测技术
期号9页码:1003-1006
通讯作者肖腾飞
其他摘要主要介绍了针对多阳极光电倍增管读出ASIC设计,该设计主要应用于散裂中子源中子谱仪中的高通量粉末衍射仪的读出电子学系统中[1]。设计采用了Chartered 0.35μm CMOS工艺,整个芯片集成了32通道,每个通道包含前置放大器、积分电路以及比较器等部分,分别实现快速放大、积分、甄别和整形输出等功能。要求前放增益可调,能够准确分辨出中子和γ信号。
关键词多阳极光电倍增管 专用集成电路 中子鉴别 电压灵敏前放 截止CMOS管反馈
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219834
专题实验物理中心
多学科研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
肖腾飞,张研,王庆娟,等. 多阳极光电倍增管读出ASIC设计[J]. 核电子学与探测技术,2012(9):1003-1006.
APA 肖腾飞,张研,王庆娟,吴文欢,王铮,&赵京伟.(2012).多阳极光电倍增管读出ASIC设计.核电子学与探测技术(9),1003-1006.
MLA 肖腾飞,et al."多阳极光电倍增管读出ASIC设计".核电子学与探测技术 .9(2012):1003-1006.
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