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Si;GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应
其他题名THE BLOCKING EFFECT OF Si, GaAs AND LiNbO3 SINGLE CRYSTALS
陈昌; 魏成连; 董玉兰; 刘世杰; 夏广昌; 范景云; 王启良; 高之纬
1979
发表期刊物理学报
期号3页码:324-333
通讯作者陈昌
其他摘要我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO_3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ_(1/2)值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ_(1/2)值。
关键词LiNbO_3 Si GaAs 堵塞效应 晶体表面 注入剂量 固体径迹探测器 坑深度 沟道效应 半角 背散射
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219508
专题实验物理中心
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GB/T 7714
陈昌,魏成连,董玉兰,等. Si;GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应[J]. 物理学报,1979(3):324-333.
APA 陈昌.,魏成连.,董玉兰.,刘世杰.,夏广昌.,...&高之纬.(1979).Si;GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应.物理学报(3),324-333.
MLA 陈昌,et al."Si;GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应".物理学报 .3(1979):324-333.
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