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PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究
其他题名EXPERIMENTAL STUDY OF PIN PHOTODIODE FOR γ RAY DETECTION
杨世明; 龚光华; 邵贝贝; 李金
2006
发表期刊核技术
期号8页码:573-576
其他摘要在X、γ射线的剂量或剂量率测量场合,常用到PIN硅光电二极管。比起传统的电离室等,它有体积小、灵敏度高、成本低、不需要高压等优点;与计数管、闪烁探测器相比,其电流输出的特性可以避免脉冲场下的死时间问题。但大剂量照射造成的辐射损伤是影响其性能的最大因素。以XRB100s-CB380为例,通过试验研究了PIN硅光电二极管的特性,包括灵敏度、偏压影响、温度补偿、辐射损伤及退火等,并简单介绍了实际应用中对输出电流信号的处理方法。
关键词PIN硅光电二极管 累积剂量 暗电流 辐射损伤 剂量率
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219478
专题实验物理中心
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GB/T 7714
杨世明,龚光华,邵贝贝,等. PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究[J]. 核技术,2006(8):573-576.
APA 杨世明,龚光华,邵贝贝,&李金.(2006).PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究.核技术(8),573-576.
MLA 杨世明,et al."PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究".核技术 .8(2006):573-576.
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