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GEM膜的化学刻蚀与性能测试
其他题名Fabricating Optimum and Qual ity Test of Gas Electron Multiplier Based on Chemical Etching
钟夏华; 李玉兰; 来永芳; 李金
2009
发表期刊核电子学与探测技术
期号5页码:1214-1217
其他摘要分析了化学蚀刻制作GEM膜过程中影响蚀刻质量的实验因素,并对相关的蚀刻条件进行了优化,制作出了8张灵敏面积为4×4cm2,孔径为85μm,孔间距为140μm的GEM膜并用其中的3张搭建了探测器。利用55Fe的X射线(5.9keV)测试探测器性能,结果显示,能量分辨率约为26%,有效增益可达105。
关键词GEM 化学刻蚀 漏电流 有效增益 能量分辨率
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219368
专题实验物理中心
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GB/T 7714
钟夏华,李玉兰,来永芳,等. GEM膜的化学刻蚀与性能测试[J]. 核电子学与探测技术,2009(5):1214-1217.
APA 钟夏华,李玉兰,来永芳,&李金.(2009).GEM膜的化学刻蚀与性能测试.核电子学与探测技术(5),1214-1217.
MLA 钟夏华,et al."GEM膜的化学刻蚀与性能测试".核电子学与探测技术 .5(2009):1214-1217.
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