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400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究
其他题名Study of the Features of 400nm IMPL RADFET Dosimeter
宫辉; 李金; 杨世明; 邵贝贝; 龚光华; 李裕熊; 谢小希
2007
发表期刊高能物理与核物理
期号3页码:283-287
其他摘要RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量.探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握.本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础.
关键词BESⅢ RADFET剂量计 累积剂量测量 辐照强度相关性 退火
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219091
专题实验物理中心
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GB/T 7714
宫辉,李金,杨世明,等. 400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究[J]. 高能物理与核物理,2007(3):283-287.
APA 宫辉.,李金.,杨世明.,邵贝贝.,龚光华.,...&谢小希.(2007).400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究.高能物理与核物理(3),283-287.
MLA 宫辉,et al."400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究".高能物理与核物理 .3(2007):283-287.
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