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偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响
其他题名Effect of the reverse voltage to the S-i PIN detector
曹学蕾; 王焕玉; 张承模; 陈勇; 杨家伟; 梁晓华; 汪锦州; 高旻; 张家宇; 马国峰
2006
发表期刊核电子学与探测技术
期号6页码:796-800
通讯作者曹学蕾
其他摘要偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。
关键词Si-PIN探测器 偏置电压 能量分辨率
项目资助者探月一号卫星X射线谱仪项目资助
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218333
专题粒子天体物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曹学蕾,王焕玉,张承模,等. 偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响[J]. 核电子学与探测技术,2006(6):796-800.
APA 曹学蕾.,王焕玉.,张承模.,陈勇.,杨家伟.,...&马国峰.(2006).偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响.核电子学与探测技术(6),796-800.
MLA 曹学蕾,et al."偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响".核电子学与探测技术 .6(2006):796-800.
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