硅漂移探测器的制作工艺及特性研究
吴广国; 黄勇; 贾彬; 曹学蕾; 孟祥承; 王焕玉; 李秀芝; 梁琨; 杨茹; 韩德俊
刊名核电子学与探测技术
2009
期号2页码:436-441
关键词硅漂移探测器 制作工艺 光响应度 漂移特性 悬空阳极电位
其他题名Fabrication and Characterizing of Silicon Drift Detectors
中文摘要采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对238Puα射线源的能谱进行了测量,对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。
项目资助者北京市教育委员会凝聚态物理共建项目(XK100270454) ; 北京市科委"新世纪百千万人才工程"项目
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218249
专题中国科学院高能物理研究所_粒子天体物理中心_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_粒子天体物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴广国,黄勇,贾彬,等. 硅漂移探测器的制作工艺及特性研究[J]. 核电子学与探测技术,2009(2):436-441.
APA 吴广国.,黄勇.,贾彬.,曹学蕾.,孟祥承.,...&韩德俊.(2009).硅漂移探测器的制作工艺及特性研究.核电子学与探测技术(2),436-441.
MLA 吴广国,et al."硅漂移探测器的制作工艺及特性研究".核电子学与探测技术 .2(2009):436-441.
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