非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率
赵振堂
刊名高能物理与核物理
1999
期号9页码:914-921
关键词高频腔 束流 高次模 阻抗 功率
其他题名HOMs POWER GENERATED BY UNEQUALLY SPACED AND POPULATED BUNCHES IN STORAGE RING
通讯作者赵振堂
中文摘要通过分析束流频谱与高频腔高次模的相互作用,提出了计算单束流和双束流储存环中非均匀束团产生的高频腔高次模功率的方法,推导出了这两种情况下的一般通用公式,并对所得到的解析结果进行了比较和讨论.
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217494
专题中国科学院高能物理研究所_加速器中心_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
赵振堂. 非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率[J]. 高能物理与核物理,1999(9):914-921.
APA 赵振堂.(1999).非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率.高能物理与核物理(9),914-921.
MLA 赵振堂."非均匀束团在储存环高频腔中产生的高次模功率".高能物理与核物理 .9(1999):914-921.
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