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BEPCII正电子源物理设计
其他题名DESIGN OF BEPCII POSITRON SOURCE
苟卫平; 裴国玺
2002
发表期刊高能物理与核物理
期号3页码:279-285
通讯作者苟卫平
其他摘要正电子产额是正电子源的一个重要物理量 ,它的高低直接关系到加速器性能的优劣 .此次BEPC(北京正负电子对撞机 )改进 ,要全面升级到BEPCⅡ ,正电子源系统的许多参数都要发生变化 ,必须对系统的各个部件参数重新优化设计 ,从而得到最大产额 .本文采用全新方法 ,将EGS4 (Electron GammaShower)程序包和PARMELA (PhaseandRadialMotioninElectronLinearAccelerator)程序紧密结合起来 ,完成正电子源优化设计工作 .首先使用程序包EGS4 ,对高能电子在介质中的电磁级联过程进行了模拟 ,优化了靶厚度 ,讨论了影响打靶产额的...
关键词正电子源 匹配系统 俘获节 产额
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217098
专题加速器中心
推荐引用方式
GB/T 7714
苟卫平,裴国玺. BEPCII正电子源物理设计[J]. 高能物理与核物理,2002(3):279-285.
APA 苟卫平,&裴国玺.(2002).BEPCII正电子源物理设计.高能物理与核物理(3),279-285.
MLA 苟卫平,et al."BEPCII正电子源物理设计".高能物理与核物理 .3(2002):279-285.
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