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80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量
其他题名YIELD AND ANGULAR DISTRIBUTION MEASUREMENT OF NEUTRON RELEASED BY 80MEV ELECTRON INCIDENT ON TARGET
吴靖民; 李建平; 雷传蘅; 刘列夫
1987
发表期刊高能物理与核物理
期号4页码:433-436
通讯作者吴靖民
其他摘要本实验采用包有慢化体的铟活化探测器测量80 MeV电子打铅厚靶后次级中子的产额和角分布.测得次级中子按各向同性分布,中子产额为(2.20±0.13)×10~(12)n/s·kW,与理论计算结果相符. 本文还就铟活化探测器是否适用于电子直线加速器中子场的测量问题进行了讨论,认为在电子能量小于100 MeV时该方法是可行的.
关键词中子产额 MeV 活化探测器 角分布 电子能量 电子直线加速器 光核反应 子场 慢化 厚靶
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/217007
专题加速器中心
推荐引用方式
GB/T 7714
吴靖民,李建平,雷传蘅,等. 80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量[J]. 高能物理与核物理,1987(4):433-436.
APA 吴靖民,李建平,雷传蘅,&刘列夫.(1987).80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量.高能物理与核物理(4),433-436.
MLA 吴靖民,et al."80 MeV电子打靶次级中子产额和角分布的测量".高能物理与核物理 .4(1987):433-436.
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