π-~(18)O非弹性散射
刘波; 姜焕清
刊名高能物理与核物理
1982
期号2页码:595-600
关键词非弹性散射 微分截面 核子数 程函 价核子 同位旋 核散射 介子工厂 靶核 壳模型
其他题名PION-~18O INELASTIC SCATTERING
通讯作者刘波(理)
中文摘要我们在程函扭曲的DWIA框架下,用跃迁密度方法计算了230MeV的π到~(18)O的2~+(1.98MeV)激发态上的非弹性散射微分截面,分析了π~-和π~+截面比,研究了中子半径的变化对微分截面的影响。我们的理论计算结果与实验符合较好。
收录类别CNKI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/216707
专题中国科学院高能物理研究所_理论物理室_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘波,姜焕清. π-~(18)O非弹性散射[J]. 高能物理与核物理,1982(2):595-600.
APA 刘波,&姜焕清.(1982).π-~(18)O非弹性散射.高能物理与核物理(2),595-600.
MLA 刘波,et al."π-~(18)O非弹性散射".高能物理与核物理 .2(1982):595-600.
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