π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析
刘波; 姜焕清
刊名高能物理与核物理
1982
期号1页码:743-749
关键词非弹性散射 DWIA 微分截面 核子数 程函 同位旋 介子工厂 价核子 射道 核散射
其他题名THE DWIA ANALYSIS OF PION-~18O INELASTIC SCATTERING
通讯作者刘波(理)
中文摘要我们在程函扭曲的DWIA框架下,用跃迁密度方法计算了180MeV和230MeV的π在~(18)O上的非弹性散射到2~+(1.98MeV)激发态的微分截面,分析了π~-对π~+的截面比,研究了中子分布半径对微分截面的影响,我们的结果与实验定性符合。
收录类别CNKI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/216706
专题中国科学院高能物理研究所_理论物理室_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
刘波,姜焕清. π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析[J]. 高能物理与核物理,1982(1):743-749.
APA 刘波,&姜焕清.(1982).π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析.高能物理与核物理(1),743-749.
MLA 刘波,et al."π—~(18)O非弹性散射的DWIA分析".高能物理与核物理 .1(1982):743-749.
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