π引起的半相干散射和~(13)C的9.5MeV能级的激发
林春灿; 马维兴
刊名高能物理与核物理
1984
期号4页码:579-587
关键词eV 非弹性散射 相干散射 核结构 微分截面 末态 核子数 弱耦合 靶核 核散射
其他题名π-INDUCED SEMI-COHERENT SCATTERING AND THE EXCITATION OF THE 9.5MeV LEVEL OF ~(13)C
通讯作者林春灿
中文摘要本文在Glauber理论近似下讨论了在π-~(13)C的非弹性散射过程中,~(13)C的9.5MeV能级激发的理论描述问题。认为到9.5MeV能级的跃迁是半相干的一步过程。对于初末态核结构,选用了弱耦合的核模型,在J~π=(7~+)/2的假设和Γ~((v))(?)1/2 Γ~((s))的近似下计算了180MeV的π~±在~(13)C上非弹性散射(9.5MeV)的微分截面,并与实验进行了比较,发现符合不是太满意的,我们认为矛盾主要是由于没有考虑自旋效应,即跃迁核子的自旋状态改变的效应。
收录类别CNKI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/216375
专题中国科学院高能物理研究所_理论物理室_期刊论文
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GB/T 7714
林春灿,马维兴. π引起的半相干散射和~(13)C的9.5MeV能级的激发[J]. 高能物理与核物理,1984(4):579-587.
APA 林春灿,&马维兴.(1984).π引起的半相干散射和~(13)C的9.5MeV能级的激发.高能物理与核物理(4),579-587.
MLA 林春灿,et al."π引起的半相干散射和~(13)C的9.5MeV能级的激发".高能物理与核物理 .4(1984):579-587.
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