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Si_xN~±_y团簇离子的形成和稳定性研究
巨新; 魏坤; 施朝淑; 唐孝威; 张南; 高振; 孔繁敖; 朱起鹤
刊名中国激光
1994
期号12页码:962-966
关键词团簇,激光蒸发,构型
其他题名STUDY OF THE FORMATION AND STABILITY OF Si_xN~±_y CLUSTER IONS
通讯作者巨新
中文摘要结合DV-Xα方法的理论计算结果,对激光蒸发方法产生的SixN团簇离子的形成和稳定性进行了细致的研究。发现上述四簇离子可能以SiN3或SiN4作为初始单元,较大的团簇离子可由某种单元与另一质谱上较稳定的复合分子组成。质谱强度变化的规律表明:若团簇离子质量是Si原子量的倍数时,呈现极大值,此时,团簇离子包含偶数个N原子。其奇偶性是由初始单元强度差异引起的。
所属项目名称国家自然科学基金
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/215190
专题院士_期刊论文
中国科学院高能物理研究所_粒子天体物理中心
推荐引用方式
GB/T 7714
巨新,魏坤,施朝淑,等. Si_xN~±_y团簇离子的形成和稳定性研究[J]. 中国激光,1994(12):962-966.
APA 巨新.,魏坤.,施朝淑.,唐孝威.,张南.,...&朱起鹤.(1994).Si_xN~±_y团簇离子的形成和稳定性研究.中国激光(12),962-966.
MLA 巨新,et al."Si_xN~±_y团簇离子的形成和稳定性研究".中国激光 .12(1994):962-966.
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